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Hongkongdoll后果超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源有野心，完满适配AI和超大鸿沟数据中心
加利福尼亚州托伦斯2024年11月5日讯 – 惟一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）本领相易者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 当天发布大众首款8.5kW AI数据中心工作器电源，其经受了氮化镓和碳化硅本领的夹杂联想，已矣了>97.5%的超高后果，完满适配AI和超大鸿沟数据中心。
这款针对AI数据中心优化的输出电压为54V的工作器电源，相宜通达计较容颜（OCP）和通达机架v3（ORv3）法子，其三相交错PFC和LLC拓扑结构中经受了高功率GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以确保已矣最高后果和最好性能，同期将无源器件的数目降至最低。
与竞争敌手使用的两相拓扑比拟，该电源所经受的三相拓扑结构，能为PFC和LLC带来行业内最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞品比拟，该电源的氮化镓和碳化硅器件数目要少25%，进而裁减了举座资本。该电源的输入电压范围为180至264 Vac，待机输出电压为12V，责任温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保捏时候为10ms，通过推广器可达到20ms。
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该电源的三相LLC拓扑结构由高功率GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，该芯片专为条款严苛的高功率期骗（如AI数据中心和工业阛阓）而联想打造。GaNSafe看成纳微的第四代氮化镓家具集成了为止、驱动、传感和要道保护功能，具备前所未有的可靠性和鲁棒性。
看成大众氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延伸350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、破除负栅极驱动和可编程的斜率为止。所有这些功能皆可通过芯片4个引脚为止，使得封装不错像一个翻脸的氮化镓FET相似被处理，不需要荒芜的VCC引脚、纳微的650V GaNSafe现在提供TOLL和TOLT两种封装，RDS(ON)MAX范围从25到98mΩ，可期骗于1kW 到22kW的大功率期骗场景。
该电源的三相交错CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驱动，其经受了“沟槽援手平面”本领。该本领是GeneSiC跳动20年的碳化硅行业深耕的匠心之作，可提供大众开端的温度性能，具备低温升运转、快速开关和不凡的鲁棒性的特色，以加快电动汽车的充电速率或为AI数据中心增进3倍功率。
纳微半导体
首席实施官兼承接首创东谈主
Gene Sheridan
“纳微完整的氮化镓和碳化硅家具组合，是纳微AI数据中心电源本领悟线图不停发展的要道场所，刚刚发布的8.5kW电源恰是最好的体现，而短期内咱们也将不绝推出12kW甚而更高功率的工作器电源。
现在，大众大部分数据中心皆无法吹法螺英伟达最新Blackwell GPUs的功率需求，这清晰了所有这个词行业生态准备不及的窘境，而咱们全新的8.5kW电源将是处分AI和超大鸿沟数据中心功率需求问题的要道秘钥。”
值得温雅的是，纳微半导体期骗总监李宾博士将插足2024年11月18-21日，在苏州海外博览中心G馆举办的“第十届海外第三代半导体论坛&第二十一届中国海外半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）”，并将在“产业峰会：功率模块与电源本领期骗峰会”共享主题申报。点击稽察瞩目日程
（转自：第三代半导体产业）swag 免费视频